| 专利名称 | 同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉 | 申请号 | CN201510017769.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104534879A | 公开（授权）日 | 2015.04.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 殷绍唐;张德明;孙彧;张庆礼;孙敦陆 | 主分类号 | F27B17/02(2006.01)I | IPC主分类号 | F27B17/02(2006.01)I;G01N23/20(2006.01)I | 专利有效期 | 同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉 至同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了同步辐射微束X射线衍射(?-XRD)技术原位实时测量熔融法晶体生长微观结构的方法，本方法基于同步辐射?-XRD技术，分别原位实时测量熔融法晶体生长时不同区域(晶体、边界层、熔体)的微观结构，从而获得熔融法晶体生长时从熔体到晶体微观结构的变化规律；本发明还提供了同步辐射?-XRD技术原位测量熔融法晶体生长的微型晶体生长炉，通过该微型晶体生长炉，能在晶体生长时对晶体、边界层和熔体微观结构进行原位实时观测。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障