| 专利名称 | 一种由太赫兹波调控的超晶格器件结构 | 申请号 | CN201420820048.2 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204257667U | 公开（授权）日 | 2015.04.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王长;曹俊诚 | 主分类号 | H01L31/036(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/036(2006.01)I;H01L31/111(2006.01)I;H01L27/144(2006.01)I | 专利有效期 | 一种由太赫兹波调控的超晶格器件结构 至一种由太赫兹波调控的超晶格器件结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供一种由太赫兹波调控的超晶格器件结构,至少包括：半导体超晶格器件；该半导体超晶格器件设有衬底及位于其上且由势垒和势阱交替堆叠而成的周期性结构；位于该周期性结构上的重掺杂接触层及该重掺杂接触层上的上电极；与该半导体超晶格器件构成闭合回路的电阻、施加于超晶格生长方向的太赫兹波及施加于垂直于超晶格生长方向的磁场。将太赫兹波耦合进超晶格实现了对电子运动状态的调控。在太赫兹场和磁场作用下，通过测量超晶格外电路的电流或者电阻两端的电压得到超晶格微带电子的运动状态。本实用新型的器件结构工艺简单，可以很方便的实现对超晶格体系中电子运动状态的调制。 |
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