| 专利名称 | LED芯片 | 申请号 | CN201420371625.4 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204257705U | 公开（授权）日 | 2015.04.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 梁秉文 | 主分类号 | H01L33/60(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/60(2010.01)I | 专利有效期 | LED芯片 至LED芯片 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种LED芯片，该芯片包括透明衬底以及形成于所述透明衬底上的外延层，所述外延层包括依次形成于所述透明衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述透明衬底的下表面与发光层之间形成有光反射结构。本实用新型在已经制作好的LED芯片上，通过激光手段在半导体层或衬底的内部形成光反射结构，减少了光路的距离，提高了LED的出光效率。同时针对GaN基LED，在激光熔融或烧灼完成后，还可以在GaN层内的某些局部形成Ga金属颗粒，通过金属颗粒的作用，可以进一步提高光反射效果。 |
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