| 专利名称 | 一种制备ZnO纳米栅栏的方法 | 申请号 | CN201410718583.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104505343A | 公开（授权）日 | 2015.04.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 发明（设计）人 | 王亮;陆文强;宋金会;冯双龙;王凤丽;李振湖 | 主分类号 | H01L21/308(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/308(2006.01)I;C23C18/44(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C23C28/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种制备ZnO纳米栅栏的方法 至一种制备ZnO纳米栅栏的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备ZnO纳米栅栏的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）GaN衬底光刻；（2）衬底涂覆金催化剂反应溶液；（3）加热衬底，溶液收缩；（4）金从溶液中被还原出来，呈闭合环形分布；（5）用CVD法由催化剂诱导生长ZnO纳米线栅栏。本发明利用光刻后衬底表面的亲疏水性差别来控制纳米金颗粒分布，以此诱导生长纳米线栅栏，不同于传统的控制方法，具有明显的创新意义和期望更广的应用范围。 |
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