| 专利名称 | 硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 | 申请号 | CN201410785433.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104499054A | 公开（授权）日 | 2015.04.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 杨涛;杜文娜;杨晓光;王小耶;季祥海;王占国 | 主分类号 | C30B29/52(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/52(2006.01)I;C30B29/60(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 至硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底放入有机溶液中超声清洗；步骤2：将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀；步骤3：将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中，将衬底第一次升温后稳定一预定时间；步骤4：将衬底第一次降到设定温度后，第一次通入AsH3气体；步骤5：将衬底第二次升温至纳米线的生长温度稳定一预定时间后，减小AsH3气体的流量，同时通入TMIn和TMSb气体，开始生长InAsSb纳米线；步骤6：生长结束后关掉通入的TMIn气体，将衬底温度第二次降至室温后关掉AsH3和TMSb气体，完成InAsSb纳米线的制备。本发明具有处理工艺简单，成本大大降低；不需要使用外来催化剂，没有污染；也不需要核子纳米线辅助成核，生长步骤简化。 |
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