| 专利名称 | 一种多孔金刚石薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201410727811.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104498894A | 公开（授权）日 | 2015.04.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 发明（设计）人 | 冯双龙;陆文强;宋金会;王凤丽;王亮;李振湖 | 主分类号 | C23C16/27(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/27(2006.01)I;C23C16/511(2006.01)I | 专利有效期 | 一种多孔金刚石薄膜的制备方法 至一种多孔金刚石薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种多孔金刚石薄膜的制备方法，将硅衬底放置于微波等离子体化学气相沉积装置中，所述硅衬底表面镀有一层金属Pt薄膜作为催化剂；将真空度控制在10-30毫巴，通入工作气体载入碳源至微波等离子发生区域，加热至750-850℃；沉积得到块体的金刚石薄膜；将薄膜在500-600℃空气氛围中煅烧，得到多孔金刚石薄膜。该方法不需要模板，也无需复杂的预处理工艺和高温过程，能够避免金属污染，使处理工序更加简化。 |
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