| 专利名称 | 用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘 | 申请号 | CN201510002676.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104498905A | 公开（授权）日 | 2015.04.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王晓亮;殷海波;肖红领;姜丽娟;冯春 | 主分类号 | C23C16/455(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/455(2006.01)I | 专利有效期 | 用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘 至用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘。该进气顶盘包括：上层进气盘和下层匀气盘，下层匀气盘为三层台阶盘体，在上层进气盘和下层匀气盘之间形成三个独立的进气腔-第一进气腔、第二进气腔和第三进气腔，该三个进气腔彼此隔离密封。其中，该第一进气腔、第二进气腔和第三进气腔分别具有独立的进气通道和出气通道，由第三进气腔内通入的隔离气体将由第一进气腔通入的第一反应气体和第二进气腔通入的第二反应气体隔开。本发明可以降低两种或多种反应气体在到达衬底之前就相遇并进行反应的概率，大大提高外延材料的晶体质量。 |
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