| 专利名称 | 一种常压化学气相沉积石墨烯薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201410766927.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104498902A | 公开（授权）日 | 2015.04.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院;重庆墨希科技有限公司 | 发明（设计）人 | 高翾;黄德萍;李占成;张永娜;朱鹏;姜浩;史浩飞;杜春雷 | 主分类号 | C23C16/453(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/453(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I | 专利有效期 | 一种常压化学气相沉积石墨烯薄膜的制备方法 至一种常压化学气相沉积石墨烯薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及石墨烯制备技术领域的一种常压化学气相沉积石墨烯薄膜的制备方法，尤其涉及一种晶畴可控的常压化学气相沉积石墨烯薄膜的分步制备方法。包括以下步骤：1)清洗金属基底铜箔；2)金属基底铜箔进行退火处理；3)在退火处理后的铜箔上进行石墨烯成核形成石墨烯晶畴；4)再将石墨烯成核后的铜箔进行惰化；5)将惰化后的铜箔回炉进行生长，石墨烯晶畴生长成石墨烯薄膜；6)冷却石墨烯薄膜，完成石墨烯薄膜的制备。本发明的有益效果是：步骤简单、操作方便，通过调节石墨烯在成核阶段的气体碳源流量控制石墨烯晶畴的密度、大小和层数，控制简单方便，形成高质量的石墨烯薄膜。 |
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