| 专利名称 | 一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法 | 申请号 | CN201410764375.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104495766A | 公开（授权）日 | 2015.04.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 孔苏苏;李辉杰;冯玉霞;赵桂娟;魏鸿源;杨少延;王占国 | 主分类号 | C01B21/068(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B21/068(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法 至一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入氢化物气相外延设备的反应室中；步骤2：在氢化物气相外延设备中对衬底表面进行高温氮化处理；步骤3：将氢化物源和氮源分别通入铝源区和反应室中，在氮化后的衬底上进行柱状排列的氮化铝纳米结构材料制备；步骤4：结束生长后，关闭氢化物源；步骤5：当反应室温度降到550℃以下，关闭氮源；步骤6：反应室温度降到室温后，取出样品。 |
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