| 专利名称 | 霍尔条微器件 | 申请号 | CN201420708532.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204243084U | 公开（授权）日 | 2015.04.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 李康;欧云波;何珂;马旭村 | 主分类号 | H01L43/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/06(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I;H01L43/14(2006.01)I | 专利有效期 | 霍尔条微器件 至霍尔条微器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种霍尔条微器件。该霍尔条微器件包括：衬底；凸台，位于衬底上并具有预定的霍尔条形状，并具有平整的上表面；以及薄膜层，由拓扑绝缘体材料在凸台的表面上外延生长而成，且具有与凸台相对应的形状。本实用新型在制备三维拓扑绝缘体薄膜器件时，掺杂磁性元素Cr后，(BixSb1-x)2Te3材料变成了铁磁性的绝缘体。采用掺Cr的(BixSb1-x)2Te3材料作为薄膜层制备来三维拓扑绝缘体薄膜器件，拓扑绝缘体具有边态，在极低的温度条件下就可以测量量子反常霍尔效应，即在不加外加磁场的情况下观察到量子霍尔效应，这一效应在计量学，未来的电子器件应用中将会有巨大的应用前景。 |
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