| 专利名称 | 具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法 | 申请号 | CN201410785415.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104485357A | 公开（授权）日 | 2015.04.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张烁;马平;郭仕宽;刘波亭;李晋闽;王军喜 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法 至具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种具有氮化镓系高阻层的HEMT，其包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层生长在衬底上；一高阻层，该高阻层生长在氮化镓成核层上；一氮化镓沟道层，该氮化镓沟道层生长在高阻层上；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层生长在氮化镓沟道层上；一势垒层，该势垒层成分为氮化镓铝，生长在氮化铝插入层上；一帽层，其生长在势垒层上；一源极，其制作在帽层上面的一侧；一漏极，其制作在帽层上面的另一侧；一栅极，其制作在帽层上面，源极和漏极之间；该源极、漏极和栅极彼此分开。本发明可以实现降低氮空位浓度，降低背景载流子浓度，获得高阻层。 |
1、源头对接，价格透明
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