| 专利名称 | 一种晶体管激光器及其制作方法 | 申请号 | CN201410764445.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104485578A | 公开（授权）日 | 2015.04.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 梁松;朱洪亮 | 主分类号 | H01S5/34(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/34(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | 一种晶体管激光器及其制作方法 至一种晶体管激光器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种晶体管激光器及其制作方法。所述方法包括：选择一衬底；依次生长缓冲层、下集电极层、集电极层、基极层及电流阻挡层；选择性腐蚀掉一部分电流阻挡层材料；生长有源层、发射极层及接触层；腐蚀制作发射极脊波导至电流阻挡层；器件基极层材料与有源层材料间的电流阻挡层可以作为发射极波导刻蚀的停止层，从而可以高精度的控制波导高度。通过选择性腐蚀掉发射极波导下的电流阻挡层材料，形成了对载流子侧向扩散的限制，有利于减少载流子在有源区侧壁的非辐射复合。这些措施可明显提高器件性能。 |
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