| 专利名称 | 氧化锌基稀磁半导体薄膜的制备方法及其电荷浓度的原位调控方法 | 申请号 | CN201410723315.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104480427A | 公开（授权）日 | 2015.04.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 朱秋香;郑仁奎;李效民 | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/28(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I | 专利有效期 | 氧化锌基稀磁半导体薄膜的制备方法及其电荷浓度的原位调控方法 至氧化锌基稀磁半导体薄膜的制备方法及其电荷浓度的原位调控方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种氧化锌基稀磁半导体薄膜的制备方法及其电荷浓度的原位调控方法，所述氧化锌基稀磁半导体薄膜的组成化学式为Zn1-xMnxO，其中0 x 0.75，所述制备方法包括：以Zn1-xMnxO陶瓷块为靶材，采用脉冲激光沉积技术在铁电单晶衬底上，沉积Zn1-xMnxO，得到所述氧化锌基稀磁半导体薄膜。 |
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