| 专利名称 | 一种低频BOSCH深硅刻蚀方法 | 申请号 | CN201410720961.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104465336A | 公开（授权）日 | 2015.03.25 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 徐丽华;褚卫国 | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种低频BOSCH深硅刻蚀方法 至一种低频BOSCH深硅刻蚀方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种低频BOSCH深硅刻蚀方法，该方法将BOSCH工艺和低频LF工艺相结合，采用低频脉冲功率源作为刻蚀工艺的下电极功率输入。该方法包括：紫外光刻胶图形的制备；各向异性刻蚀；各向同性沉积；刻蚀与沉积步骤交替进行N个周期；去除光刻胶。本发明的低频刻蚀工艺，能稳定地应用于不同图形、不同面积的硅的深刻蚀，能很好地控制刻蚀关键尺寸、陡直度，不宜出现长草现象，具有较高的选择比。 |
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