| 专利名称 | 一种低温宽频带低噪声放大器 | 申请号 | CN201420759238.8 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204231301U | 公开（授权）日 | 2015.03.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 郭国平;郑智雄;李海鸥;曹刚;肖明;郭光灿 | 主分类号 | H03F1/26(2006.01)I | IPC主分类号 | H03F1/26(2006.01)I | 专利有效期 | 一种低温宽频带低噪声放大器 至一种低温宽频带低噪声放大器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种低温宽频带低噪声放大器，包括：用于降低场效应晶体管FET在宽频带内输入回波损耗和噪声的输入匹配电路、用于使低温宽频带低噪声放大器产生平坦高增益的级间匹配电路，以及用于降低FET在宽频带内输出回波损耗的输出匹配电路；其中，所述输入匹配电路、级间匹配电路与输出匹配电路依次串联。通过采用本实用新型公开的放大器，不仅可以保证在低温环境下稳定工作，而且在3.5—8GHz的宽频带内，放大器能达到25dB的增益，同时增益平坦度小于2dB，并且保证放大器的噪声和回波损耗在宽频带内足够低。 |
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