| 专利名称 | 一种通过前驱体的酸化剥离氧化来合成超薄Se纳米片的方法及其应用 | 申请号 | CN201410706212.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104445102A | 公开（授权）日 | 2015.03.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 俞书宏;胡增文;徐亮;阳缘 | 主分类号 | C01B19/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B19/02(2006.01)I;C01B19/04(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种通过前驱体的酸化剥离氧化来合成超薄Se纳米片的方法及其应用 至一种通过前驱体的酸化剥离氧化来合成超薄Se纳米片的方法及其应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种通过前驱体的酸化剥离氧化来合成超薄Se纳米片的方法及其应用，其特征在于：以ZnSe-Amine有机-无机杂化纳米片为前驱体；在水中加入酸，调节水pH在0.1到2的范围内，然后加入前驱体，常温下连续磁力搅拌或超声0.5-2h，使用酸化剥离氧化，即得超薄Se纳米片；所得超薄Se纳米片可用于作为制备结晶Se纳米线、多孔硒化物纳米片及贵金属纳米片的模板材料。 |
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