| 专利名称 | 一种高强度芳纶透明导电薄膜及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201410837487.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104464973A | 公开（授权）日 | 2015.03.25 | 申请（专利权）人 | 中科院广州化学有限公司 | 发明（设计）人 | 胡继文;于法猛;吴艳;涂园园;林树东 | 主分类号 | H01B13/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B13/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高强度芳纶透明导电薄膜及其制备方法与应用 至一种高强度芳纶透明导电薄膜及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种高强度芳纶透明导电薄膜及其制备方法与应用，属于芳纶膜制备技术领域。本发明通过在有机溶剂中加入芳纶，同时加入强碱和催化剂，加热搅拌均匀，得到均匀分散的芳纶铸膜液；将芳纶铸膜液在基材上刮涂成膜，然后将纳米银线乙醇分散液喷洒在芳纶膜上，加热烘干，得到高强度芳纶透明导电薄膜。本发明的方法制备简单、温和，得到高强度芳纶透明导电膜，具有芳纶优异的力学性能和纳米银线良好的导电性。而且该膜柔性好，抗弯折，而且抗老化、使用寿命周期长，可以广泛应用于电子器件领域。 |
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