| 专利名称 | 用于提高QWIP-LED光提取效率的二维光子晶体厚膜 | 申请号 | CN201420145432.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204230283U | 公开（授权）日 | 2015.03.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 侯义合;张冬冬;丁雷;刘加庆;谭婵;朱学谦 | 主分类号 | H01L33/36(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/36(2010.01)I | 专利有效期 | 用于提高QWIP-LED光提取效率的二维光子晶体厚膜 至用于提高QWIP-LED光提取效率的二维光子晶体厚膜 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本专利公开了一种用于提高QWIP-LED光提取效率的二维光子晶体厚膜结构。该二维光子晶体厚膜是刻蚀在QWIP-LED器件电极层上的有限深空气孔阵列，厚膜的结构参数是针对QWIP-LED发光波长进行优化得到的。厚膜结构的制作是可采用标准的纳米加工技术，工艺简单。该厚膜结构在QWIP-LED器件上的应用，一方面可大幅提升QWIP-LED器件的光提取效率，从而使器件的红外上转换效率得以提高；另外一方面充分保护了器件的电气特性，从而保证了QWIP-LED图像输出功能不受破坏。 |
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