| 专利名称 | 一种铕掺杂的硼酸钇薄膜的厚度调控方法 | 申请号 | CN201410684988.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104449717A | 公开（授权）日 | 2015.03.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院青海盐湖研究所 | 发明（设计）人 | 年洪恩;周园;吴志坚;孙庆国;李翔;申月;海春喜;任秀峰;曾金波;董欧阳;云强;李松;张立娟 | 主分类号 | C09K11/78(2006.01)I | IPC主分类号 | C09K11/78(2006.01)I | 专利有效期 | 一种铕掺杂的硼酸钇薄膜的厚度调控方法 至一种铕掺杂的硼酸钇薄膜的厚度调控方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种铕掺杂的硼酸钇薄膜的厚度调控方法，包括：1)将水溶性钇盐、氧化铕、氨水、醇和水混合；2)向步骤1)得到的混合物中加入硼源，所述硼源为硼酸或硼酸酯；3)步骤2)得到的混合物反应24～48h；4)使用浸渍提拉法对硅底片进行镀膜，镀膜速度为0.88～1.52mm/s，镀膜后置于马弗炉中进行200～600℃煅烧；此过程反复1-6次；5)薄膜达到预期厚度后置于1000℃以下进行退火，得到YBO3:Eu3+薄膜，所述预期厚度为10～100nm。本发明的优点在于：溶胶-凝胶浸渍提拉镀膜法制备YBO3：Eu3+纳米材料，具有厚度可控和特殊形貌的优势。 |
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