| 专利名称 | 一种SOI ESD两级保护网络 | 申请号 | CN201410712386.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104465651A | 公开（授权）日 | 2015.03.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宁冰旭;张正选;胡志远;彭超;樊双;邹世昌 | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SOI ESD两级保护网络 至一种SOI ESD两级保护网络 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种SOI?ESD两级保护网络，包括：第一级保护网络，由第一二极管及第二二极管组成；第二级保护网络，包括PMOS晶体管、外接电阻、缓冲电阻和硅控整流器，其中，所述缓冲电阻的第一端接保护网络的输入端，第二端接所述硅控整流器的P型层及N阱区，并作为保护网络的输出端，所述PMOS晶体管的栅端和体端接电源线，源端接保护网络的输入端，漏端接所述外接电阻的第一端，并与所述硅控整流器的P阱区连接，所述外接电阻的第二端接地线，所述硅控整流器的N型层接地线。本项发明的SOI硅控整流器采用动态触发的原理，可以大大提高二级保护的反应速度，并大大降低内部电路栅击穿的可能性。 |
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