| 专利名称 | 电容式结构的发光二极管集成芯片及其制备方法 | 申请号 | CN201410817479.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104465921A | 公开（授权）日 | 2015.03.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 詹腾;马骏;刘志强;伊晓燕;王军喜;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 电容式结构的发光二极管集成芯片及其制备方法 至电容式结构的发光二极管集成芯片及其制备方法 | 法律状态 | 著录事项变更 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种电容式结构的发光二极管集成芯片及其制备方法。该芯片包括外部连接端口，具有导电能力的透明电极层，绝缘介质填充层以及发光光源发光二极管芯片。通过将一定数量的发光二极管芯片与绝缘介质层形成电容器结构，在绝缘电介质层两层为导电介质层，由此构成电容式结构，整个结构通过电极上的引线Pad点与外部连接端口连接。该发光二极管集成芯片采用新颖的驱动方式和芯片结构，采用高介电常数绝缘介质材料，芯片可由交流电源直接驱动，制作简单，成本低。 |
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