| 专利名称 | 一种雪崩光电二极管及其制作方法 | 申请号 | CN201410818494.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104465853A | 公开（授权）日 | 2015.03.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 向伟;王国伟;徐应强;郝宏玥;蒋洞微;任正伟;贺振宏;牛智川 | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种雪崩光电二极管及其制作方法 至一种雪崩光电二极管及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种雪崩光电二极管及其制作方法。所述二极管包括：在衬底上至少外延生长的缓冲层，N型欧姆接触层，光吸收层，雪崩倍增层和P型欧姆接触层。本发明采用不同厚度的InAs层、GaSb层的超晶格制成光吸收层，可以吸收从短波到长波的红外，同时AlGaAsSb可以减少暗电流，通过台面刻蚀，钝化和蒸金属后制成器件，器件可以响应短波到长波红外并可以提供一定的增益，从而提高探测器的信噪比。 |
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