| 专利名称 | 纳米对电极及其制备方法 | 申请号 | CN201410738817.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104465327A | 公开（授权）日 | 2015.03.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 唐成春;顾长志;李俊杰;杨海方;全保刚;姜倩晴 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 纳米对电极及其制备方法 至纳米对电极及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种纳米对电极及其制备方法。包括：设置衬底并在其上设置抗蚀剂；确定曝光版图，曝光版图具有用于形成纳米对电极的纳米对电极图案，纳米对电极图案由沿一直线延伸的两个长条形部分构成，并且呈轴对称布置；每一长条形部分包括一个长方形和一个三角形，长方形的短边与三角形的一条边重合；两个长条形部分的三角形相互面对；按照曝光版图对抗蚀剂电子束曝光、显影、定影，形成刻蚀凹槽；在具有刻蚀凹槽的衬底上沉积金属，溶解残留的抗蚀剂，得到纳米对电极。该纳米对电极具有点接触结构，性能更加稳定可靠，接触面积和辐射较小，减弱了近邻效应，更好地调控微区曝光剂量，提高了曝光分辨率，得到了间距3～10nm的纳米对电极。 |
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