| 专利名称 | 半导体器件制造方法 | 申请号 | CN201310418179.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104465374A | 公开（授权）日 | 2015.03.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件制造方法 至半导体器件制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 提供了一种制造半导体器件的方法。一示例方法可以包括：在衬底上形成第一材料层和第二材料层；在第二材料层上形成辅助层；在辅助层中形成与将要形成的栅结构相对应的开口；形成第三材料层，以覆盖辅助层；在第三材料层上形成与栅结构中至少之一相对应的掩模层；在存在掩模层的情况下，对第三材料层进行构图，去除其横向延伸部分；去除辅助层；以构图后的第三材料层为掩模，对第二材料层进行构图，以形成可定义不同栅长的栅结构。 |
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