| 专利名称 | 一种将金属铜表面CVD的石墨烯向目标衬底表面转移的方法 | 申请号 | CN201410777633.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104451591A | 公开（授权）日 | 2015.03.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 张大勇;金智;史敬元;麻芃;王选芸 | 主分类号 | C23C16/01(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/01(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I;C25F3/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种将金属铜表面CVD的石墨烯向目标衬底表面转移的方法 至一种将金属铜表面CVD的石墨烯向目标衬底表面转移的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种将金属铜表面化学气相沉积的石墨烯向目标衬底表面转移的方法，属于材料技术领域。该方法首先通过化学气相沉积方法在铜箔表面生长得到石墨烯，然后以铜箔作为阳极，玻碳片作为阴极，硫酸铜的琼脂凝胶作为固体电解质，利用电化学方法使铜箔缓慢溶解，并在玻碳电极表面沉积并形成铜膜；最后将琼脂凝胶在热水中溶解除去得到转移到目标衬底表面的石墨烯薄膜，同时在玻碳电极表面得到金属铜箔并用以石墨烯的生长。利用本发明，不仅能实现石墨烯在多种目标衬底表面的绿色高效转移，而且可以实现金属铜的循环利用，降低了石墨烯薄膜的制备成本，将有助于推动石墨烯在导电薄膜等领域的大规模应用。 |
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