| 专利名称 | 磁控溅射镀膜真空箱体 | 申请号 | CN201410835443.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104451581A | 公开（授权）日 | 2015.03.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 高劲松;刘震;刘海;王笑夷;杨海贵;王彤彤;申振峰 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 专利有效期 | 磁控溅射镀膜真空箱体 至磁控溅射镀膜真空箱体 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种磁控溅射镀膜真空箱体，属于薄膜制备设备技术领域。解决了现有技术中磁控溅射镀膜真空箱体结构固定、耗费人力大，对体积限制性强，对于大口径SiC表面改性的局限性大的技术问题。该真空箱体，包括箱盖、上箱体、下箱体、液压支撑机构和滑板；上箱体和下箱体的侧壁上设有多个法兰口和多个冷却水管，箱盖的上表面、上箱体的侧壁和下箱体的侧壁上均设有加强筋。该真空箱体、上箱体和下箱体均可分别拆卸，下箱体可单独或者同上箱体共同随滑板移动，箱盖可以单独也可以同上箱体共同升降，利于借助吊装机械设备对磁控溅射设备进行安装、清洁及维护保养，操作方便，降低人力耗费。 |
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