| 专利名称 | 一种熔石英光学基底表面氟化物薄膜快速脱膜方法 | 申请号 | CN201410621218.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104445970A | 公开（授权）日 | 2015.03.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所;武汉大学 | 发明（设计）人 | 李斌成;何治柯;吉邢虎;柳存定 | 主分类号 | C03C15/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C03C15/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种熔石英光学基底表面氟化物薄膜快速脱膜方法 至一种熔石英光学基底表面氟化物薄膜快速脱膜方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种熔石英光学基底表面氟化物薄膜的快速脱膜方法，属于光学元件制备方法技术领域，该方法利用复分解反应或络合反应，在室温或加热条件下反应，使熔石英光学基底表面氟化物发生化学反应而被彻底清除，热水浴中反应除膜，最快仅需20-30分钟，温水浴中除膜需1.5-2.5小时，室温除膜需3-7小时。脱膜后与未镀膜光学基底相比表面粗糙度无明显变化，亦无可探测物理或化学损伤。 |
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