| 专利名称 | 偏离（111）硅片解理晶向的高强度悬臂梁结构及制作方法 | 申请号 | CN201410723421.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104445044A | 公开（授权）日 | 2015.03.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李昕欣;王家畴 | 主分类号 | B81B3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81B3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;G01P15/12(2006.01)I | 专利有效期 | 偏离（111）硅片解理晶向的高强度悬臂梁结构及制作方法 至偏离（111）硅片解理晶向的高强度悬臂梁结构及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种偏离（111）硅片解理晶向的高强度悬臂梁结构及制作方法，所述悬臂梁结构包括：（111）单晶硅片；至少一根悬臂梁，悬臂梁沿特定的晶向分布于（111）单晶硅片上，使得悬臂梁的横截面偏离（111）单晶硅片的解理面。本发明解决了以往单晶硅悬臂梁抗冲击强度难以进一步提高的瓶颈问题。可广泛应用于高量程的惯性传感器研制，具有工艺简单且兼容性强、制作成本低、适合大批量生产的特点，在工业自动化控制、生物医疗和军事领域具有很大的应用前景。 |
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