| 专利名称 | 低温下制备具有高度(001)择优取向的钌酸锶薄膜的方法 | 申请号 | CN201310407759.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104419895A | 公开（授权）日 | 2015.03.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 董显林;李涛;王根水;陈莹 | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 专利有效期 | 低温下制备具有高度(001)择优取向的钌酸锶薄膜的方法 至低温下制备具有高度(001)择优取向的钌酸锶薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种低温下制备具有高度(001)择优取向的钌酸锶薄膜的方法，以硅片为衬底，引入LaNiO3缓冲层后采用SrRuO3靶材在400~600℃的温度范围内溅射获得所述具有高度(001)择优取向的SrRuO3薄膜。 |
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