| 专利名称 | 基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法 | 申请号 | CN201310407887.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104422716A | 公开（授权）日 | 2015.03.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 冯亮;杨卫;关亚风 | 主分类号 | G01N27/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/00(2006.01)I;C01G15/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法 至基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法。是以两步化学转化法合成多孔半导体In2O3纳米材料，经过初步分离纯化后得到纯度较高的In2O3纳米线，并以此作为气敏性材料，组装成半导体气体传感器。该气体传感器的工作原理是根据半导体In2O3纳米线材料暴露在空气和待测气体中电信号（电阻、电压、电流等）的变化来进行检测和分析的。气体传感器能够对乙醇、丙酮、甲醛等常见的有机挥发性气体(VOCs)及氨气、硫化氢等有毒有害环境污染性气体有较好的响应，而且其响应程度（即灵敏度）与待测气体的浓度（或含量）直接相关，可用于气体的在线检测。 |
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