| 专利名称 | 钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅的制备方法 | 申请号 | CN201310410388.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104419984A | 公开（授权）日 | 2015.03.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 罗豪甦;王西安;林迪;赵祥永;王升;徐海清;李晓兵;张海武;邓昊;陈建伟 | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅的制备方法 至钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅的制备方法，所述钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅的化学组成为(1-x-y)Pb(In1/2Nb1/2)O3-yPb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3，其中x=0.20～0.45，y=0.15～0.70，所述制备方法包括如下步骤：（1）首次晶体生长原料的制备；（2）首次晶体生长；（3）再次晶体生长原料的制备；（4）再次晶体生长。本发明采用坩埚下降多次生长的方法，能够明显地抑制晶片的组份分凝，扩展晶体高性能区域，能够有效针对不同应用的最优取向性晶片，从而生长出大尺寸、高性能区间大、高质量弛豫铁电单晶材料PIMNT，使得晶体利用率提高，能够克服单晶批量生长和应用的困难。 |
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