| 专利名称 | 氧化铝多孔陶瓷的低温烧成方法 | 申请号 | CN201310364708.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104418591A | 公开（授权）日 | 2015.03.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 席红安;李勤;张继周;王若钉 | 主分类号 | C04B35/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/10(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B38/06(2006.01)I | 专利有效期 | 氧化铝多孔陶瓷的低温烧成方法 至氧化铝多孔陶瓷的低温烧成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种氧化铝多孔陶瓷的低温烧成方法，所述低温烧成方法使用钙 铜 钛三元素复合而成的烧成助剂，其中所述烧成助剂中的铜元素在整个烧成过程中以一价稳定存在。本发明的方法采用钙 铜 钛三元素复合而成的烧成助剂。在这种三元复合助剂中，铜元素在烧成过程中以一价稳定存在，从而保证了所制备的氧化铝陶瓷呈现出均匀的浅棕色。避免了以铜 钛二元复合助剂制备的氧化铝陶瓷可能出现的颜色不均匀现象。而且这种三元复合烧成助剂可以使氧化铝陶瓷在更低的温度烧成，有利于降低氧化铝陶瓷的生产成本。 |
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