| 专利名称 | 碳化硅多孔陶瓷的低温烧成方法 | 申请号 | CN201310364696.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104418608A | 公开（授权）日 | 2015.03.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 席红安;李勤;张继周;王若钉 | 主分类号 | C04B38/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B38/06(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 碳化硅多孔陶瓷的低温烧成方法 至碳化硅多孔陶瓷的低温烧成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种碳化硅多孔陶瓷的低温烧成方法，所述方法包括：将氧化铝或其前驱体以及氧化硼或其前驱体作为所述烧成助剂的主要原料与碳化硅粉体混合均匀，压制成型制得素坯；以及所述素坯干燥后程序升温至1100～1400℃之间进行烧成，制得所述碳化硅多孔陶瓷。本发明的方法利用氧化铝或其前驱体以及氧化硼或其前驱体作为所述烧成助剂的主要原料，将其与碳化硅混合后进行烧成，利用烧成过程中原位产生的硼酸铝作为烧成助剂，可在较低的温度进行碳化硅的烧成，且制得的碳化硅多孔陶瓷孔隙率大、强度高。 |
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