| 专利名称 | 一种稳定掺杂的大面积石墨烯透明导电膜规模化制备方法 | 申请号 | CN201410709308.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104409177A | 公开（授权）日 | 2015.03.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 任文才;马来鹏;成会明 | 主分类号 | H01B13/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B13/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种稳定掺杂的大面积石墨烯透明导电膜规模化制备方法 至一种稳定掺杂的大面积石墨烯透明导电膜规模化制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及石墨烯透明导电膜的制备技术，具体为一种稳定掺杂的大面积石墨烯透明导电膜规模化制备方法。该方法通过夹层结构提高石墨烯透明导电膜的掺杂效果和稳定性，掺杂剂与石墨烯的本征表面直接接触并位于石墨烯与透明基体之间。首先在初始基体上的石墨烯表面或透明基体表面形成掺杂剂，然后将石墨烯、掺杂剂和透明基体进行结合，最后将石墨烯与初始基体分离，从而制备出稳定掺杂的大面积石墨烯透明导电膜。石墨烯作为掺杂剂的外层保护膜，提高掺杂的稳定性；石墨烯的本征表面与掺杂剂直接接触，避免杂质对两者之间界面的污染，改善掺杂剂的掺杂效果，从而提高薄膜的导电性。将石墨烯的转移和掺杂过程合二为一，易于实现规模化制备。 |
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