| 专利名称 | 多叉指栅极结构MOSFET的版图设计 | 申请号 | CN201410674653.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104409503A | 公开（授权）日 | 2015.03.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈静;吕凯;罗杰馨;柴展;何伟伟;黄建强;王曦 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 专利有效期 | 多叉指栅极结构MOSFET的版图设计 至多叉指栅极结构MOSFET的版图设计 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出了一种多叉指栅极结构MOSFET的版图设计，包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区及漏区，体接触区为第一多叉指栅极结构及第二多叉指栅极结构共用。通过采用体接触区公用的方法，可以提高体接触区利用率，降低寄生电容。相比较普通的体接触器件，其有源区的利用率高，在相同总的栅宽条件下，体接触区域面积减小了一半，可以集成度提高。因为中间体区为两侧有源区公用，金属连线所占面积降低，可以降低寄生电容。在不增加布线难度的情况下实现两侧栅极的并联，减小了栅极电阻。在不增加布线难度的情况下实现两侧漏极的并联，减小了漏极电阻。器件版图结构该设计方法在射频电路领域具有一定的应用价值。 |
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