| 专利名称 | 数控研抛中的进退刀路径规划方法 | 申请号 | CN201410572142.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104407569A | 公开（授权）日 | 2015.03.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 刘健;王绍治;隋永新;杨怀江;张春雷 | 主分类号 | G05B19/19(2006.01)I | IPC主分类号 | G05B19/19(2006.01)I | 专利有效期 | 数控研抛中的进退刀路径规划方法 至数控研抛中的进退刀路径规划方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 数控研抛中进退刀路径的规划方法，涉及一种研磨抛光的路径规划方法，解决现有研抛过程中研抛工具采用直线进退刀方式而出现进退刀痕迹的问题。数控研抛中的进退刀路径规划方法包括：首先，计算有效研抛路径的起点和终点以及归一化方向矢量；然后，根据给定安全高度值及进退刀速度计算进退刀总时间以及进退刀路径第二安全高度位置矢量；进一步地，计算螺旋进退刀路径的所有刀位点位置矢量及方向矢量；进一步地，调整进退刀螺旋路径与有效抛光路径的方向使二者保持一致；最后，计算第1安全高度的位置矢量。本发明适用于数控研磨抛光领域，可以避免研抛模与被加工件局部接触造成的去除不均匀，有利于避免进退刀印迹。 |
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