| 专利名称 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 | 申请号 | CN201410643283.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104409501A | 公开（授权）日 | 2015.03.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 霍瑞彬;申华军;白云;汤益丹;刘新宇 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 至碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：源极(1)、栅极(2)、栅氧化层(3)、N+源区(4)、P+接触区(5)、P阱(6)、N-外延层(7)、缓冲层(8)、N+衬底(9)、漏极(10)、隔离介质(11)和额外N型注入的JFET子区域(12)。本发明提出的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，通过部分额外N型注入器件的JFET区域，降低JFET区域电阻，同时满足沟道不被耗尽，尤其可应用于短沟道碳化硅MOSFET器件中。利用本发明制备的SiC金属氧化物半导体场效应晶体管器件，可用于功率开关电源电路，DC/DC、AC/DC、DC/AC变换器等。 |
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