| 专利名称 | 一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法 | 申请号 | CN201410546842.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104406532A | 公开（授权）日 | 2015.03.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 虞慧娴;孙士文;杨建荣;周昌鹤;徐超;周梅华;王云 | 主分类号 | G01B11/06(2006.01)I | IPC主分类号 | G01B11/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法 至一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法，本发明先使用体积分数为1％-5％的溴甲醇溶液，对晶片(111)B面进行10-30分钟的化学梯度减薄，获表面为斜面的样品。再使用Everson腐蚀液揭示晶体的缺陷，在100倍视场下用光学显微镜进行观察，确定损伤层刚好完全去除的位置，比较损伤层去除前后的晶片厚度差异，计算损伤层厚度。本发明的优点是：(1)通过观察晶片表面缺陷的形貌来判断损伤层厚度，结果直观准确。(2)能够在1小时内完成晶片损伤层厚度检测，不存在多次腐蚀及多次检测，便利快捷，实用性高。 |
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