| 专利名称 | 一种制备三维ZnO纳米线网的方法 | 申请号 | CN201410718597.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104402039A | 公开（授权）日 | 2015.03.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 发明（设计）人 | 王亮;陆文强;宋金会;冯双龙;王凤丽;李振湖 | 主分类号 | C01G9/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G9/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种制备三维ZnO纳米线网的方法 至一种制备三维ZnO纳米线网的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备三维ZnO纳米线网的方法，其特征在于，包括如下步骤：首先在洗净GaN衬底表面涂覆HAuCl4与还原剂和聚合物的混合溶液；在高温管式真空炉中间放置盛有化学反应物的舟，化学反应物包括ZnO粉和石墨粉，其气流下游位置放置衬底，抽真空，把真空管加热到800-1200℃，然后通入氧气和工作气体，控制压强到30-400毫巴，生长时间大于20min，然后让真空管式炉自然降温，在GaN衬底上即可制备出三维ZnO纳米线网络。本发明方法简单，利用聚合物诱导三维纳米线网络生长。制备的纳米线取向有垂直衬底和平行衬底两类，构成有序三维纳米线网络结构，具有极大的应用价值。 |
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