| 专利名称 | 一种硅基锗量子点复合结构材料、其制备方法及应用 | 申请号 | CN201310401132.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104377257A | 公开（授权）日 | 2015.02.25 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 李振军;白冰;杨晓霞;刘明举;李娟;胡海;王小伟;戴庆;裘晓辉 | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 专利有效期 | 一种硅基锗量子点复合结构材料、其制备方法及应用 至一种硅基锗量子点复合结构材料、其制备方法及应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种硅基锗量子点复合结构材料，所述复合结构材料包括多孔硅基底和生长在所述多孔硅基底上的锗量子点。本发明采用超声增强的办法提高硅基底的腐蚀速率和孔的均匀性，在量子点生长方面采用磁控溅射和后期退火的生长过程；本发明提供的硅基锗量子点复合结构材料具有较高的光电转化效率；制备方法安全性高，且操作简单，工业化前景好。 |
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