| 专利名称 | 一种锗量子点的生长方法、锗量子点复合材料及其应用 | 申请号 | CN201310351839.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104377114A | 公开（授权）日 | 2015.02.25 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 李振军;白冰;杨晓霞;王小伟;许应瑛;戴庆;裘晓辉 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L29/15(2006.01)I | 专利有效期 | 一种锗量子点的生长方法、锗量子点复合材料及其应用 至一种锗量子点的生长方法、锗量子点复合材料及其应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种锗量子点的生长方法，所述方法为在石墨烯层上生长锗量子点。本发明在常规基底表面引入均匀性极高的石墨烯界面，在界面上实现了Ge量子点的生长，避免了为得到高质量界面对常规基底进行繁杂的清洗程序，简化了工艺流程；且保证了锗量子点的低杂质元素含量和低缺陷密度，且保证了锗量子点的自组织生长过程，形成了形貌统一和密度均匀的锗量子点。 |
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