| 专利名称 | InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构 | 申请号 | CN201410592387.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104393088A | 公开（授权）日 | 2015.03.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 杨静;赵德刚;乐伶聪;李晓静;何晓光 | 主分类号 | H01L31/0725(2012.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0725(2012.01)I;H01L31/0735(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I | 专利有效期 | InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构 至InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温成核层、非故意掺杂缓冲层、n型掺杂GaN层、非掺杂InGaN/AlInGaN多量子阱层、P型掺杂氮化镓层，该n型掺杂GaN层上面的一侧有一台面，该台面上制作一N型欧姆电极，一P型欧姆电极，其制作在P型接触层上。本发明可以增加多量子阱太阳能电池吸收层的总电场，提高载流子的分离效率，从而提高太阳能电池的转换效率。 |
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