| 专利名称 | 一种基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构 | 申请号 | CN201410738258.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104392992A | 公开（授权）日 | 2015.03.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宁冰旭;张正选;胡志远;邹世昌 | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构 至一种基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构，包括SOI衬底；所述SOI衬底的顶层硅中定义有有源区，所述有源区中形成有P阱及N阱；其中：所述有源区表面形成有假栅极型硅化物隔离结构，所述假栅极型硅化物隔离结构周围的有源区表面形成有金属硅化物层。本发明利用假栅极型硅化物隔离结构来实现有源区中不同类型重掺杂区以及阱区之间的金属硅化物阻隔，其中，该假栅极可与SOI衬底上其它区域的正常栅极结构同时制作，从而减少了一层硅化物阻挡层掩膜版，有利于节约生产成本；制作工艺与SOICMOS工艺完全兼容，具有很强的设计可行性；本发明的ESD保护器件结构可以单独使用，也可以结合其他外部电路或器件使用，达到更好的抗ESD保护效果。 |
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