| 专利名称 | 一种三维高密度电阻转变存储器的制备方法 | 申请号 | CN201410557993.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104393170A | 公开（授权）日 | 2015.03.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孙海涛;刘琦;吕杭炳;龙世兵;刘明 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种三维高密度电阻转变存储器的制备方法 至一种三维高密度电阻转变存储器的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种三维高密度电阻转变存储器的制备方法，包括：衬底预备；在衬底上涂敷光刻胶，对光刻胶进行光刻、曝光和显影形成电极图形；在形成电极图形的衬底上电子束蒸发惰性电极；剥离光刻胶及其上的金属，形成惰性电极；在形成惰性电极的衬底上旋涂电子束光刻胶HSQ并电子束曝光；涂敷光刻胶，对光刻胶进行光刻、曝光和显影形成活性电极图形；在形成活性电极图形的衬底上电子束蒸发活性电极；剥离光刻胶及其上的金属，形成活性电极；在形成活性电极的衬底上旋涂电子束光刻胶HSQ并电子束曝光；涂敷光刻胶，对光刻胶进行光刻、曝光和显影形成电极图形；在形成电极图形的衬底上电子束蒸发惰性电极；剥离光刻胶及其上的金属，形成惰性电极。 |
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