| 专利名称 | 一种快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法 | 申请号 | CN201410584893.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104389016A | 公开（授权）日 | 2015.03.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 武斌;陈集思;王立锋;于贵;刘云圻 | 主分类号 | C30B29/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 一种快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法 至一种快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发涉及一种利用化学气相沉积法在液态铜基底上快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法，该方法包括如下步骤：在氢气和惰性气体气氛下，通入水蒸气和碳源，利用碳源在所述液态铜基底表面的催化裂解，生长形成大尺寸单晶石墨烯，然后在惰性气体气氛下降温至室温，即可得大尺寸单晶石墨烯。与传统固态金属基底相比，使用液态铜基底在制备石墨烯方面具有生长速度快、成核均匀、可循环使用等优势，通过调节碳源和水份含量来实现石墨烯尺寸的可控，制备得到了厘米级的单晶石墨烯，所制备的石墨烯可应用到制备场效应晶体管器件中。 |
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