| 专利名称 | 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 | 申请号 | CN201410710282.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104393045A | 公开（授权）日 | 2015.03.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 贾利芳;何志;刘志强;李迪;樊中朝;程哲;梁亚楠;王晓东;杨富华 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 专利有效期 | 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 至一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三金属电极覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化保护层覆盖在势垒层上表面未被高空穴浓度结构层、第一金属电极和第二金属电极覆盖的区域；其中，第一金属电极和第二金属电极与势垒层之间形成欧姆接触，第三金属电极与高空穴浓度结构层之间形成肖特基接触。本发明还公开了一种GaN基增强型HEMT器件的制备方法。本发明可靠性高，重复性好，通过选择不同的组分渐变范围、不同的氮化物合金及其掺杂浓度和厚度可以实现对器件阈值电压的调节，使制得的器件满足不同的要求。 |
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