| 专利名称 | 掺氧非晶硅锗薄膜、异质结晶体硅太阳能电池及制备方法 | 申请号 | CN201410581435.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104393121A | 公开（授权）日 | 2015.03.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张丽平;孟凡英;刘正新 | 主分类号 | H01L31/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/20(2006.01)I;H01L31/0747(2012.01)I;H01L31/0376(2006.01)I;H01L31/028(2006.01)I | 专利有效期 | 掺氧非晶硅锗薄膜、异质结晶体硅太阳能电池及制备方法 至掺氧非晶硅锗薄膜、异质结晶体硅太阳能电池及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种用于钝化晶体硅表面的掺氧非晶硅锗薄膜、异质结晶体硅太阳能电池及制备方法，所述用于钝化晶体硅表面的掺氧非晶硅锗薄膜的制备方法包括步骤：提供一晶体硅衬底，采用化学气相沉积工艺于所述晶体硅衬底表面沉积掺氧非晶硅锗薄膜。本发明通过调节反应气体流量中氧和锗浓度可以得到带隙连续可调的致密掺氧非晶硅锗薄膜材料，该材料利用氧、锗元素可以抑制界面外延和调节材料带隙的作用，实现空穴载流子的有效收集，从而有效提高异质结晶体硅太阳电池的效率。 |
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