| 专利名称 | 绿光LED外延层结构及生长方法 | 申请号 | CN201410636516.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104393132A | 公开（授权）日 | 2015.03.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 刘炜;赵德刚;陈平;刘宗顺;朱建军;江德生 | 主分类号 | H01L33/12(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/12(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 绿光LED外延层结构及生长方法 至绿光LED外延层结构及生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种绿光LED外延层结构及生长方法，其中绿光LED外延层结构，包括：一衬底，该衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一GaN缓冲层，其生长在衬底上；一非掺杂GaN层，其生长在GaN缓冲层上；一N型GaN层，其生长在非掺杂GaN层上；一多量子阱区，其生长在N型GaN层上；一P型AlGaN层，其生长在多量子阱区上；一P型GaN层，其生长在P型AlGaN层上；一P型GaN盖层，其生长在P型GaN层上。本发明是通过提高MQW中空穴的注入效率和减小InGaN量子阱中的QCSE效应，实现绿光LED发光效率的提升。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障