| 专利名称 | 三维半导体器件制造方法 | 申请号 | CN201410174677.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104392962A | 公开（授权）日 | 2015.03.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 霍宗亮 | 主分类号 | H01L21/8239(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8239(2006.01)I | 专利有效期 | 三维半导体器件制造方法 至三维半导体器件制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种三维半导体器件制造方法，包括：a)在衬底上形成器件单元，包括沿垂直衬底表面方向多个第一材料层和多个第二材料层构成的堆叠结构；b)在器件单元周围形成接触引出区域，包括多个子分区，每一个暴露各自不同的一个第二材料层；c)在衬底上形成光刻胶覆盖多个子分区，暴露一个第二材料层的一部分；d)以光刻胶为掩模同时刻蚀多个子分区中暴露的一个第二材料层的一部分，直至暴露一个第二材料层下方的另一个第二材料层；e)缩减光刻胶的尺寸，以暴露另一个第二材料层的一部分；f)重复步骤d和步骤e直至所有的第二材料层均暴露；g)形成接触引线，连接多个第二材料层的每一个。依照本发明的方法，对各个子分区进行选择性刻蚀，减少工艺步骤，有效提高面积利用率。 |
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