| 专利名称 | 一种基于蒙特卡罗自适应降低方差的辐射屏蔽计算方法 | 申请号 | CN201410668296.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104376217A | 公开（授权）日 | 2015.02.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 郑华庆;宋婧;孙光耀;郝丽娟;吴宜灿 | 主分类号 | G06F19/00(2011.01)I | IPC主分类号 | G06F19/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种基于蒙特卡罗自适应降低方差的辐射屏蔽计算方法 至一种基于蒙特卡罗自适应降低方差的辐射屏蔽计算方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于蒙特卡罗自适应降低方差的辐射屏蔽计算方法，在传统的基于权窗减方差的蒙特卡罗方法的基础上，根据其确定论方法伴随通量计算结果的具体情况，进而计算得到重要性参数，将这些参数写入基于蒙特卡罗的辐射屏蔽计算程序的输入文件中，再进行辐射屏蔽计算。在基于蒙特卡罗的辐射屏蔽计算过程中，在根据前一步得到的重要性参数对粒子进行偏倚输运的同时，对粒子径迹进行保存，即给出每一个粒子经过的栅元，帮助用户在模拟过程中自动干预调整几何区域重要性参数的设置，并在后续计算中使用新的栅元重要性参数，实现自动偏倚。本发明避免了传统的基于经验式权窗减方差的蒙特卡罗方法的使用，达到精确快速进行辐射屏蔽计算的效果。 |
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